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1.3 C/I和功率的關(guān)系
改善C/I的方法有兩個(gè)：提高C或降低I。提高用戶感知還可以運(yùn)用一些新功能，改善相同C/I情況下的MOS表現(xiàn)，如AMR、跳頻等。
（1）提高C的主要方法是提升功率、調(diào)整覆蓋、優(yōu)化鄰區(qū)配置；
（2）降低I的主要方法是降低功率、調(diào)整覆蓋、優(yōu)化頻率配置、控制外部干擾等。
功率調(diào)整最為糾結(jié)，增加功率即增加了C和I，增加單小區(qū)抗干擾能力的同時(shí)增加了全局干擾；減少功率降低I的同時(shí)也降低了C。
I由白噪聲、外部干擾（各類干擾設(shè)備）和內(nèi)部干擾（頻率干擾和交調(diào)干擾）構(gòu)成，可見在調(diào)整功率時(shí)主要影響的是內(nèi)部干擾。下面模擬了一條C/I VS Lev的曲線做個(gè)簡(jiǎn)單示意圖，如圖1所示：
其中，橫軸為全網(wǎng)的平均接收電平；縱軸為全網(wǎng)的平均C/I。圖1主要分為3個(gè)區(qū)、1個(gè)點(diǎn)，具體描述如下：
A區(qū)：此處屬于低功率區(qū)域，干擾主要由底噪、外部干擾強(qiáng)度決定，因此隨著電平功率的提升，C/I上升很快。
B區(qū)：隨著電平的升高，干擾的主要組成部分轉(zhuǎn)為網(wǎng)內(nèi)干擾，電平功率的上升引起的C增加和I增加接近，C/I趨于穩(wěn)定。
C區(qū)：網(wǎng)絡(luò)中的部分深度覆蓋或廣覆蓋區(qū)域的電平強(qiáng)度已經(jīng)無(wú)法進(jìn)一步提升，全網(wǎng)電平的提升是部分小區(qū)的提升貢獻(xiàn)的，對(duì)一個(gè)小區(qū)覆蓋而言，其主控面積遠(yuǎn)小于干擾面積，因此在不能全網(wǎng)提升功率的情況下，C的增加速度會(huì)慢于I的增加速度，導(dǎo)致C/I的下降。而隨著平均電平的增加，功率受限區(qū)域也不斷增加，I的增加亦越來(lái)越快，C/I呈現(xiàn)加速下滑。目前大部分網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行在C區(qū)（以暴制暴的結(jié)果）。
P點(diǎn)：一定網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)下的功率和C/I的最佳平衡點(diǎn)。在此點(diǎn)左邊，由于功率不足，載干比不高；在此點(diǎn)以右，干擾增加速度上升，載干比下降。
